Проблема выбора ОЗУ.
И так проблема состоит в следуюшем захотелось увеличить размер ОЗУ с 4 до 8 Гб.
Но тут возник вопрос:
Что лучше взять память с частотой 1600 и работать в моно режиме так как из описание мамы http://www.easycom.com.ua/mboa. 3/?lang=ru
Написано что двухканальный режим активен при частотах не выше 1333.
Или купить память на 1333частоте и работать в дуал режиме.
P.S.Так как разница в ценах модулей буквально пару %.
Выбора ОЗУ для сервера
Доброго времени суток. Сервер на базе мат. платы supermicro x8sil-f. В нем сейчас стоит озу 2 х.
Проблема с ОЗУ
Здравствуйте. Тут поставил себе недавно железки новые, а именно проц amd r5 1600 озу Crucial.
Проблема с ОЗУ
Материнская плата: Gigabyte Technology Co. Ltd. H61M-S2-B3 (Socket 1155) Старая оперативная.
Зависание ПК, проблема с ОЗУ
После покупке нового компьютера и его сборки стали появляться проблемы, а именно зависание с.
а где там написано что что двухканальный режим активен при частотах не выше 1333.
если даже в тесте использовалась память 2x DDR3-2000 1024 МБ Kingston HyperX KHX16000D3T1K3/3GX
берите 2 модуля по 4 гига от 1600 и даже если мать не заработает, вы всегда сможете поставить частоту 1333 и спать спокойно
Там в описании что свыше 1333 в режиме ОС,я так понял что это одноканальный режим.
Используемая память DDR3 1666(OC)/1333/1066 МГц
Сообщение от semerok
Ну тогда буду брать оперативочку и радоваться жизни))
Кстати ,что это за фишка я слышал такая будто AMD под свои процы и оперативу выпускает специальную мол заточеную,правда ли это или очередной ход?
Сообщение от semerok
Сообщение от semerok
Сообщение от semerok
Разница в 7$ На планке.
А 1,65В это норм напряжение? Не для каких-то оверовских материнок?
Проблема с установкой ОЗУ
Помогите люди добрые понять что делать. Купил две планки памяти KVR667D2N5/2G но не знаю кривые они.
Проблема со слотом ОЗУ
Здравствуйте, можете помочь с такой проблемой? Моя материнская плата ga-h61m-ds2 работала без.
Проблема с ноовой планкой озу
После добавления новой планки озу ПК при перезагрузке, а иногда и при включении, выдаёт 3 длинных.
Проблема с установкой ОЗУ DDR2 800 2GB
у меня стояла 1 гиговая озу ддр2 600 мгц, я поставил новою 2 гиговою ддр2 800 мгц в тот же разъем.
Типы оперативной памяти: DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM (англ. double-data-rate three synchronous dynamic random access memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, тип 3) — это тип оперативной памяти используемой в компьютерах, разработанный как последователь DDR2 SDRAM .
DDR3 обещает сокращение потребления энергии на 40% по сравнению с модулями DDR2 , благодаря применению 90-нм (в дальнейшем 65-нм и 50-нм) технологии производства, что позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR ). «Dual-gate» транзисторы будут использоваться для сокращения утечки тока.
Изучаем параметры DDR3
Рассмотрение диапазона таймингов, напряжений, частот, а также отличий от предыдущих типов – вот что является темой данной статьи.
DDR3
Стандарт Double Data Rate 3 является логическим продолжением цепочки SDR-DDR-DDR2. Как многие знают, отличие DDR от SDR состояло в том, что передача данных по интерфейсу происходила на обоих фронтах опорной частоты, а не по положительному фронту, как у SDR. Таким образом, за один такт передавалось вдвое больше информации. Чтобы информацию с вдвое большей скоростью передать контроллеру, она должна и поступать их чипов вдвое быстрее. Это реализовано с помощью удвоения внутренней ширины модуля памяти. При этом за одну команду чтения мы получаем сразу n единиц данных. Такая архитектура была названа n-prefetch. Общая формула расчёта – 2^n prefetch, где n – поколение устройства памяти. У DDR1 одной командой передаётся 2 единицы данных, у DDR2 – 4, соответственно у DDR3 – 8. При этом минимальное значение Burst Length (параметра, определяющего длину считываемого за раз пакета данных) соответственно равно 2, 4 и 8.
Понятно, что с переходом на новое поколение количество данных, передаваемых интерфейсом за такт, не меняется, иначе менялось бы название (QDR, ODR). Меняется только ширина внутренней шины модуля. Таким образом, в модуле DDR 400 опорная частота составляет 200МГц (DDR), частота чипов 200МГц (2n-prefetch). В модулях DDR2-800 опорная частота равна 400МГц (DDR), внутренняя частота чипов – 200МГц (4n-prefetch). В модуле DDR3-800 опорная частота равна 400МГц, а частота чипов – 100МГц (8n-prefetch).
Отсюда становится ясно, почему всё время растут тайминги памяти. Если чипам нужно 10нс для тайминга CL (это CL=2 на DDR400), то в модуле DDR2-800 этот тайминг будет равняться 4, при той же частоте чипов, т.к. абсолютное значение времени не изменилось (10нс), а относительное (из-за уменьшения вдвое длительности одного такта) увеличилось вдвое. Для DDR3-1600 этот тайминг уже будет составлять 8 тактов. Хочется добавить по поводу таймингов при одинаковой частоте интерфейса – DDR2-800 и DDR3-800, к примеру. Тайминги у них равны, а вся разница вытекает из обкатанности одного процесса к моменту выпуска другого поколения, то есть из-за сравнения необкатанной новой технологии и обкатанной старой.
От слов к делу.
Основные нововведения:
Частоты 800/1066/1333/1600МГц
Напряжение питания 1.5В
Дифференциальный фронт сигнала
Burst Length 4(Burst terminate), 8
Динамическая терминация сигнала на чипе (Dynamic ODT)
Поддержка программируемого CAS Latency в (4), 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 тактов
Поддержка программируемого Additive Latency в режимах 0, CL-1, CL-2.
Программируемый CAS Write Latency (CWL) в 5, 6, 7, 8 тактов
Переключение BL на лету
8 логических банков
Наличие встроенного термодатчика (является нововведением для десктопной платформы, но уже было реализовано в FB-DIMM).
Выбор мощности сигналов с помощью EMRS
Поддержка Auto Self Refresh
8 бит предвыборка
На данный момент представлены чипы двух плотностей – 512Mbit и 1Gbit.
Разными производителями выпущены модули от 256MB до 2GB. В скором времени планируется наладить выпуск 16ГБ модулей, в первую очередь для серверного рынка.
Количество банков составляет 8, что означает использование тайминга tFAW на всех модулях. Напряжение по спецификации составляет 1,5В. Модули, предназначенные для разгона или разогнанные производителем, будут работать традиционно при большем напряжении. Согласно даташиту Hynix DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 1Gb Z ver., максимальное допустимое напряжение составляет 1.975В, то есть модули будут работать при напряжениях до 2,0В. Оверклокеры-экстремалы будут использовать и большие значения, но очень маловероятно, что для постоянного использования напряжение будет превышать 2,1В. Об этом можно судить как по процентному соотношению напряжения при разгоне DDR2, так и вольтмодам GDDR3. Частоты этого типа памяти, как я писал ранее будут начинаться с 800МГц и дойдут до 1600МГц. Отсюда, кстати, можно сделать интересное наблюдение – частота чипов не меняется с течением времени. У DDR внутренняя частота была в диапазоне 100-200МГц (DDR200-DDR400), у DDR2 – то же самое, начиналось со 100 и заканчивалось 200МГц (DDR2-400 – DDR2-800). Стандарт DDR3 продолжает эту тенденцию со своим диапазоном частот DDR3-800 – DDR3-1600 (реальная внутренняя те же 100-200МГц). Стало быть, DDR4, наиболее вероятно, будет работать на частотах интерфейса от DDR4-1600 до DDR4-3200. Это ниже, чем рамки частот GDDR. Связано это с более жесткими ограничениями на подаваемую чипам мощность и требованиями к охлаждению и таймингам. Исследование вопроса диапазона частот GDDR разных версий и DDR во внештатном режиме может быть исследовано позднее.
Наличие термодатчика позволит обычным пользователям узнать условия работы модулей памяти. Эта функция перекочевала из серверного рынка, где крайне важна стабильность системы и проработан детальный механизм троттлинга (замедления) чипа при превышении допустимой температуры. Также меняются такие характеристики как обновление памяти и другое, направленное на повышение стабильности горячего модуля и его охлаждение. Но в декстопной платформе маловероятно, что обычный пользователь станет интересоваться такого рода информацией. Другое дело — оверклокер, который разгоняет с повышение напряжения до 30% и выше, ставит водяное охлаждение или обкладывает их сухим льдом. Для проверки эффективности охлаждения и послужит этот механизм при нормальной его реализации (то есть с возможностью удобного считывания такого рода данных). Почти наверняка интерфейсом передачи станет шина Smbus, по которой также передаётся информация SPD модулей.
Теперь об одном из важнейших параметров нового типа памяти – таймингах. Все принятые стандартом схемы таймингов сведены в таблицу. Соответствие режимов CL-X и CWL-X с частотами дано для установления обратной совместимости различных модулей.
Назначение и описание всех таймингов можно найти в моей статье «Что такое тайминги?»
Отсюда видно, что уже расписаны параметры для будущих 8Гб чипов. А также факт, что подтайминги вроде WR, WTR и другие не поменялись относительно DDR2. Разница лишь в основных таймингах. Именно они и будут определять расстановку сил DDR3 vs DDR2 и привлекательность новинки. Модули уже начали появляться в продаже, но нормальных обзоров с изменением таймингов и разгоном проведено не было.
Использованная литература:
1. JEDEC STANDARD DDR2 SDRAM SPECIFICATION JESD79-2C
2. Samsung DDR3 SDRAM Specification revision 0.1
3. Samsung 512Mb E-die DDR3 SDRAM Specification
4. Hynix DDR3 SDRAM Unbuffered DIMMs Based on 1Gb Z ver.
DDR3 SDRAM
DDR3 SDRAM (англ. Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных, третье поколение) — тип оперативной памяти, являющийся эволюционным развитием предыдущего поколения DDR2 SDRAM, в которой также используется технология «удвоения частоты». [1]
Эффективная частота работы модулей DDR3-памяти составляет от 1066 до 1600 МГц (также выпускаются и более скоростные модули для энтузиастов, работающие на частоте 1800 МГц и выше). Кроме увеличенной пропускной способности, память DDR3 также характеризуется пониженным энергопотреблением (экономия до 40%) по сравнению с памятью DDR2, что обусловлено пониженным (1,5 В, по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR) напряжением питания ячеек памяти. Это позволяет повысить энергоэкономичность и снизить теплообразование. Снижение напряжения питания достигается за счёт использования более тонкого техпроцесса (в начале 90-нм, в дальнейшем 65, 50, 40 нм) при производстве микросхем памяти и применения транзисторов с двойным затвором Dual-gate (что способствует снижению токов утечки).
Другими нововведениями, реализованными в памяти DDR3, являются технология динамического терминирования сигналов (dynamic On-Die Termination, ODT) и новая технология калибровки сигналов. Технология ODT позволяет гибко оптимизировать значения терминальных сопротивлений в зависимости от условий загрузки памяти
Таким образом основными преимуществами по сравнению с DDR2 является:
- более высокая полоса пропускания (до 2400 МГц)
- увеличенная эффективность при малом энергопотреблении
- улучшенная конструкция, способствующая охлаждению
На рис.1 приведена микрофотография кристалла микросхемы памяти DDR3, выполненной по технологии 78 нм на заводе компании Micron, а на рис.2 — ее блок-схема. В табл. 1 приведены характеристики микросхем памяти трех поколений DDR SDRAM.
| Характеристика | DDR SDRAM | DDR2 SDRAM | DDR3 SDRAM |
|---|---|---|---|
| Частота, МГц | 200,266,333,400 | 400,533,667,800 | 800,1066,1333,1600 |
| Напряжение, В | 2,5+- 0,2 | 1,8+-0,1 | 1,5+-0,075 |
| Интерфейс | SSTL_2 | SSTL_2 | SSTL_15 |
| Синхронизация данных | Single ended | Single ended/ Differential | Differential Default |
| Длительность импульса, тактов FSB | 2, 4, 8 | 4, 8 | 4 (Burst Shop), 8 ячейки |
| Предвыбор | 2 | 4 | 8 |
| Количество банков | 4 | 4/8 | 8 |
| Сброс | Нет | Нет | Да |
| Нагрузка на кристалле | Нет | Да | Да |
| Калибровка | — | Off-Chip Driver Calibration | Self Calibration with ZQ Pin |
| Корпус | ТTSOP II | FBGA | FBGA |
Содержание
История появления DDR3 на рынке ОЗУ
Модули памяти DDR3 SDRAM появились на рынке в начале третьего квартала 2007 г. одновременно с серийными платами на НМС Intel P35 Express — первыми наборами системной логики, совместимыми с модулями памяти нового поколения. Пропускная способность подсистемы памяти для самых распространенных на тот момент модулей ОЗУ, удовлетворяющих спецификации PC2-6400, составляла 6,4 Гбайт/с. Для DDR3-памяти PC3-8500 эта характеристика была несколько выше — 8,5 Гбайт/с. Применительно к двухканальному режиму работы теоретическая пиковая пропускная способность возросла с 12,8 до 17,1 Гбайт/с для ОЗУ DDR2 и DDR3 соответственно.
Латентность первых DDR3-модулей не позволяла обеспечить преимущество более скоростного ОЗУ над доминирующими на рынке модулями DDR2 SDRAM, массовый выпуск которых с лихвой перекрывал все запросы индустрии. Ситуация усугублялась еще и тем, что цены на новый тип памяти, как это нередко бывает с новыми продуктами, оказались не по карману рядовым пользователям. Не слишком большое преимущество, которое демонстрировали ПК, укомплектованные модулями DDR3-1066 SDRAM, вынудило основных поставщиков компьютерной техники ограничиться малым тиражом DDR3-систем. Иными словами, на первых порах рынок встретил память DDR3 довольно прохладно.
Сложившаяся ситуация сохранялась ровно до тех пор, пока не были анонсированы (а затем и доступны для заказа) DDR3-модули, устойчиво работающие на частоте 1333 МГц и 1666 МГц. Осенью 2007 г. появились первые системные платы на НМС Intel X38 Express. Новый контроллер памяти (в терминах Intel концентратор Memory Controller Hub, микросхема Intel 82X38) обеспечивал взаимодействие платформы с модулями ОЗУ DDR2 и DDR3 SDRAM, оснащенными функцией контроля четности, гарантируя пиковую пропускную способность в двухканальном режиме 21,2 Гбайт/с. Постепенно снижалась до приемлемых значений латентность, однако цена 1 Мбайт памяти еще долго оставалась довольно высокой.
Перелом наступил весной 2008, когда в рамках выставки CeBIT’2008 был официально анонсирован набор системной логики Intel X48 Express. Среди его особенностей были фирменные технологии Intel Fast Memory Access и Intel Flex Memory. Первая увеличивала производительность системы за счет возросшей пропускной способности и сокращения временных задержек на основных операциях доступа к памяти благодаря усовершенствованной архитектуре шинных магистралей контроллера Intel 82X48 MCH. Вторая упрощала модернизацию подсистемы памяти, допуская установку в систему DRAM-модулей различного объема. Разумеется, набор обеспечивал возможность организации двухканального режима работы памяти (пиковая пропускная способность 25,6 Гбайт/c для модулей DDR3-1600 SDRAM) и заполнение до 8 Гбайт адресного пространства ОЗУ, что обуславливало быстрый отклик системы, столь необходимый для 64-разрядных вычислений.
Основные отличия DDR3 SDRAM от DDR2 SDRAM
8n-Prefetch
Принципиальное отличие и главное преимущество памяти DDR3 от DDR2 заключается в ее более высокой частоте работы, которая достигается благодаря реализации механизма 8n-Prefetch (8-битная предварительная выборки) против 4n-Prefetch в DDR2. Для организации данного режима работы памяти необходимо, чтобы буфер ввода-вывода (мультиплексор) работал на частоте, в восемь раз большей по сравнению с частотой ядра памяти. Достигается это следующим образом: ядро памяти, как и прежде, синхронизируется по положительному фронту тактирующих импульсов, а с приходом каждого положительного фронта по восьми независимым линиям в буфер ввода-вывода (мультиплексор) передаются 8п бит информации (выборка 8п бит за такт). Сам буфер ввода-вывода тактируется на учетверенной частоте ядра памяти и синхронизируется как по положительному, так и по отрицательному фронту данной частоты. Это позволяет за каждый такт работы ядра памяти передавать восемь слов на шину данных, то есть в восемь раз повысить пропускную способность памяти.
На рис.3 показаны частотные принципы работы микросхем SDRAM различных поколений.