Как работает карта памяти

Как на microSD-карточке помещается 1 терабайт?

Сейчас все привыкли к тому, что в телефонах много памяти — от 128 гигабайт и выше. Если телефон поддерживает карты памяти большой ёмкости, то можно вставить туда microSD-карточку и получить дополнительно хоть терабайт. Но вы видели те карточки? Они же невероятно малы!

В этой статье разберёмся, как такой большой объём памяти помещается в пластике площадью полтора сантиметра.

Как устроена флеш-память

Если мы аккуратно вскроем карточку microSD, то увидим, что она состоит из контактов для передачи данных, контроллера памяти и самой микросхемы с памятью:

Контроллер нужен, чтобы следить за тем, как данные записываются на чип, всё ли там в порядке и не нужно ли что-то исправить. Если в момент записи или передачи данных контроллер замечает ошибку, он посылает специальный сигнал в чип или на устройство, мол, ошибка, передай данные ещё раз.

Чип флеш-памяти состоит из площадки с транзисторами, которые умеют хранить электрический заряд 5—7 лет. Для этого они используют специальные электромагнитные ловушки. В прямом смысле: в них «застревают» электрические заряды. Если в транзисторе есть заряд, это считается за единицу. Если заряда нет — это ноль.

Контроллер памяти следит за тем, чтобы заряды в транзисторах со временем не пропадали. Для этого он во время работы периодически обновляет заряды у нужных транзисторов — чтобы данные на карте памяти не пропали из-за утечки зарядов.

Получается, что флешка — это просто площадка с очень большим набором маленьких транзисторов, в которых застревает электричество. Можно представить, что это район с одноэтажными домами.

Трёхмерная печать

У такого решения есть проблема — если нам нужно больше памяти, нам потребуется больше транзисторов, а значит — больший по размерам чип. А он тогда не поместится на карте стандартного размера.

Когда производители столкнулись с таким ограничением, они стали делать так:

1. Печатают один слой транзисторов — точно так же, как и в производстве процессоров.
2. Сверху наносят слой диэлектрика, чтобы отделить следующие транзисторы от этих.
3. Потом печатают следующий слой транзисторов.
4. Слой диэлектрика и так далее.

Получается, что теперь у нас дома не одноэтажные, а многоэтажные.

К слоям транзисторов можно обращаться одновременно, чтобы сразу получить много нужных данных. Для этого в этом многослойном пироге проделывают сквозные тоннели-проводники. Каждый из таких проводников соединяет свой участок памяти с верхними и нижними.

Чем больше таких проводников — тем быстрее и проще получить данные из памяти, но есть два ограничения:

1. Из-за особенностей производства нельзя бесконечно увеличивать количество слоёв в чипе — они начинают деформироваться, изменять свои свойства и работать со сбоями. В среднем сейчас используют 100 слоёв на одной микросхеме. В будущем хотят увеличить их количество до 500, но это почти предел.
2. Много тоннелей тоже сделать нельзя — у них есть своя толщина, и каждый такой проводник занимает определённую площадь на чипе. Если сделать слишком много сквозных проводников, то не останется места для самих транзисторов.

Много микросхем — много памяти

Пока всё, о чём мы говорили, помещается на одной микросхеме, но это максимум 128 гигабайт. Чтобы получить терабайт, можно точно так же поставить 8 микросхем друг на друга и соединить их все с контроллером памяти:

Больше 8 микросхем поставить друг на друга можно, но работать с ними будет гораздо сложнее. Дело в том, что компьютеру очень удобно работать с числами, кратными восьми, потому что в одном байте 8 бит. Поэтому для управления одновременно 8 микросхемами компьютеру нужно передать один управляющий байт, а для 9 или 12 микросхем — нужно уже 2 байта. А это в два раза больше передаваемых данных и в 128 раз увеличивает нагрузку на контроллер памяти, который следит за ошибками.

Короче: как работает флешка

• Есть «ловушки» электрического заряда. В них хранятся биты данных.
• «Ловушки» аккуратно укладываются на плоскости, очень плотно.
• Потом эти плоскости укладываются в несколько этажей.
• Потом эти «многоэтажки» ещё раз укладываются друг на друга.
• Всё это хозяйство подключается к управляющему чипу.
• Получается флешка.

Если оставить флешку без внимания на 5—7 лет, часть её данных потеряется. За 20—30 лет из-за квантовых эффектов флешка в принципе придёт в негодность. Поэтому наслаждайтесь жизнью сегодня

Принцип работы и устройство флеш-памяти

В этой статье мы с Вами поговорим о том, что положено в основу создания и по какому принципу работает устройство флэш-памяти (не путайте с USB флэш-накопителями и картами памяти). Кроме этого, вы узнаете о ее преимуществах и недостатках перед другими типами ПЗУ (постоянно запоминающими устройствами) и познакомитесь с ассортиментом самых распространенных накопителей, которые содержат в себе флэш-память.

Основное достоинство этого устройства в том, что оно энергонезависимое и ему не нужно электричество для хранения данных. Всю хранящуюся информацию во флэш-памяти можно считать бесконечное количество раз, а вот количество полных циклов записи к сожалению ограничено.

Флэш-память (flash memory) — относится к полупроводникам электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Благодаря техническим решениям, не высокой стоимости, большому объему, низкому энергопотреблению, высокой скорости работы, компактности и механической прочности, флэш-память встраивают в цифровые портативные устройства и носители информации.

У флэш-памяти перед другими накопителями (жесткие диски и оптические накопители) типа ПЗУ есть как свои преимущества, так и свои недостатки, с которыми вы можете познакомиться из таблицы расположенной ниже.

• Флэш-память с MLC (Multi-level cell — многоуровневые ячейки памяти)ячейки более емкие и дешевые, но они с большим временем доступа и меньшим количеством циклов записи/стирания (около 10000).
• Флэш-память, которая содержит в себе SLC (Single-level cell — одноуровневые ячейки памяти) ячейки имеет максимальное количество циклов записи/стирания(100000) и обладают меньшим временем доступа.

Изменение заряда (запись/стирание) выполняется приложением между затвором и истоком большого потенциала, чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора.

Принцип работы флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области («карман») полупроводниковой структуры.

Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения. Эта конструкция снабжается элементами, которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.

Теперь рассмотрим более подробно ячейки памяти с одним и двумя транзисторами…

Ячейка памяти с одним транзистором.

Если на управляющий затвор подать положительное напряжения (инициализация ячейки памяти) то он будет находиться в открытом состоянии, что будет соответствовать логическому нулю.

А если на плавающий затвор поместить избыточный отрицательный заряд (электрон) и подать положительное напряжение на управляющий затвор ,то он компенсирует создаваемое управляющим затвором электрическое поле и не даст образовываться каналу проводимости, а значит транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Вот так, наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе точно определяет состояние открыт или закрыт транзистор, когда подается одно и тоже положительное напряжения на управляющий затвор. Если мы будем рассматривать подачу напряжения на управляющий затвор, как инициализацию ячейки памяти, то по тому, какое напряжение между истоком и стоком можно судить о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе.

Таким образом получается своеобразная элементарная ячейка памяти, способная сохранять один информационный бит. Ко всему этому очень важно, чтобы заряд на плавающем затворе (если он там имеется) мог сохраняться там долго, как при инициализации ячейки памяти, так и при отсутствии напряжения на управляющем затворе. Только в этом случае ячейка памяти будет энергонезависимой.

Так каким же образом в случае необходимости на плавающий затвор помещать заряд (записывать содержимое ячейки памяти) и удалять его оттуда (стирать содержимое ячейки памяти) когда это необходимо.

Поместить заряд на плавающий затвор (процесс записи) можно методом инжекции горячих электронов (CHE-Channel Hot Electrons) или методом туннелирования Фаулера-Нордхейма.

Если используется метод инжекции горячих электронов, то на сток и управляющий затвор подается высокое напряжение, что придаст электронам в канале энергии, достаточной чтобы преодолеть потенциальный барьер, который создается тонким слоем диэлектрика, и направить (туннелировать) в область плавающего затвора (во время чтения на управляющий затвор подается меньшее напряжение и эффект туннелирования не происходит).

Чтобы удалить заряд с плавающего затвора (выполнить стирания ячейки памяти) на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение (около 9 В), а на область истока подается положительное напряжение. Это приводит к тому, что электроны туннелируют из области плавающего затвора в область истока. Таким образом происходит квантовое туннелирование Фаулера — Нордхейма (Fowler — Nordheim).

Наверно вы уже поняли, что транзистор с плавающим затвором это элементарная ячейка флэш-памяти. Но ячейки с одним транзистором имеют некоторые недостатки, основным из которых является плохая масштабируемость.

Так как при создании массива памяти, каждая ячейка памяти (то есть транзистор) подключается к двум перпендикулярным шинам. Управляющие затворы подключаются к шине, которую называют линией слов (Word Line), а стоки соединяют с шиной, ее называют битовой линией (Bit Line). В следствии чего в схеме находится высокое напряжение и при записи методом инжекции горячих электронов все линии — слов, битов и истоков нужно разместить на большом расстоянии друг от друга. Это даст нужный уровень изоляции, но отразится на ограничении объема флэш-памяти.

Еще одним недостатком такой ячейки памяти является присутствие эффекта избыточного удаления заряда с плавающего затвора, а он не может компенсироваться процессом записи. В следствии этого на плавающем затворе образуется положительный заряд, что делает неизменным состояние транзистора и он всегда остается открытым.

Ячейка памяти с двумя транзисторами.

Двухтранзисторная ячейка памяти, это модифицированная однотранзисторная ячейка, в которой находится обычный КМОП-транзистор и транзистор с плавающим затвором. В этой структуре обычный транзистор выполняет роль изолятора транзистора с плавающим затвором от битовой линии.

Имеет ли преимущества двухтранзисторная ячейка памяти? Да, ведь с ее помощью можно создавать более компактные и хорошо масштабируемые микросхемы памяти, потому что здесь транзистор с плавающим затвором изолируется от битовой линии. Ко всему прочему, в отличии от однотранзисторной ячейки памяти, где информация записывается методом инжекции горячих электронов, в двухтранзисторной ячейки памяти для записи и стирания информации используется метод квантового туннелирования Фаулера — Нордхейма. Такой подход дает возможность снизить напряжение, которое необходимо для операции записи. Забегая наперед скажу, что двухтранзисторные ячейки применяются в памяти со структурой NAND.

Устройство флэш-памяти с архитектурой NOR.

Тип этой памяти является источником и неким толчком в развитии всей EEPROM. Ее архитектура была разработана компанией Intel в далеком 1988 году. Как было написано ранее, чтобы получить доступ к содержимому ячейки памяти (инициализировать ячейку), нужно подать напряжение на управляющий затвор.

Поэтому разработчики компании все управляющие затворы подсоединили к линии управления, которая называется линией слов (Word Line). Анализ информации ячейки памяти выполняется по уровню сигнала на стоке транзистора. Поэтому разработчики все стоки транзисторов подсоединили к линии, которая называется линией битов (Bit Line).

Архитектура NOR получила название благодаря логической операции ИЛИ — НЕ (в переводе с английского NOR). Принцип логической операции NOR заключается в том, что она над несколькими операндами (данные, аргумент операции…) дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных операциях.

В нашем случае под операндами подразумевается значение ячеек памяти, а значит в данной архитектуре единичное значение на битовой линии будет наблюдается только в том случае , когда значение всех ячеек, которые подключены к битовой линии, будут равны нулю (все транзисторы закрыты).

В этой архитектуре хорошо организован произвольный доступ к памяти, но процесс записи и стирания данных выполняется относительно медленно. В процессе записи и стирания применяется метод инжекции горячих электронов. Ко всему прочему микросхема флеш-памяти с архитектурой NOR и размер ее ячейки получается большим, поэтому эта память плохо масштабируется.

Флеш-память с архитектурой NOR как правило используют в устройствах для хранения программного кода. Это могут быть телефоны, КПК, BIOS системных плат…

Устройство флэш-памяти с архитектурой NAND.

Данный тип памяти был разработан компанией Toshiba. Эти микросхемы благодаря своей архитектуре применяют в маленьких накопителях , которые получили имя NAND (логическая операция И-НЕ). При выполнении операция NAND дает значение нуль только, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех других случаях.

Как было написано ранее, нулевое значение это открытое состояние транзистора. В следствии этого в архитектуре NAND подразумевается, что битовая линия имеет нулевое значение в том случае, когда все подключенные к ней транзисторы открыты, и значение один, когда хотя бы один из транзисторов закрыт. Такую архитектуру можно построить, если подсоединить транзисторы с битовой линией не по одному (так построено в архитектуре NOR) , а последовательными сериями (столбец из последовательно включенных ячеек).

Данная архитектура по сравнению с NOR хорошо масштабируется потому, что разрешает компактно разместить транзисторы на схеме. Кроме этого архитектура NAND производит запись путем туннелирования Фаулера — Нордхейма, а это разрешает реализовать быструю запись нежели в структуре NOR. Чтобы увеличить скорость чтения, в микросхемы NAND встраивают внутренний кэш.

Как и кластеры жесткого диска так и ячейки NAND группируются в небольшие блоки. По этой причине при последовательном чтении или записи преимущество в скорости будет у NAND. Но с другой стороны NAND сильно проигрывает в операции с произвольным доступом и не имеет возможности работать на прямую с байтами информации. В ситуации когда нужно изменить всего несколько бит, система вынуждена переписывать весь блок, а это если учитывать ограниченное число циклов записи, ведет к большому износу ячеек памяти.

В последнее время ходят слухи о том, что компания Unity Semiconductor разрабатывает флэш-память нового поколения, которая будет построена на технологии CMOx. Предполагается, что новая память придет на смену флеш-памяти типа NAND и преодолеет ее ограничения, которые в памяти NAND обусловлены архитектурой транзисторных структур. К преимуществам CMOx относят более высокую плотность и скорость записи, а также более привлекательную стоимость. В числе областей применения новой памяти значатся SSD и мобильные устройства. Ну, что же правда это или нет покажет время.

Чтобы более детально донести до Вас всю необходимую информацию я разместил видео ролик по теме.

Немного о картах памяти для чайников ⁠ ⁠

При покупке новой карты памяти важно учесть моменты, на которые пользователи не обращают внимания. Ориентируйтесь не только на бренд, объем и цену. Расскажу и о том, как не переплатить за крутые функции, которые не поддерживает телефон.

1. Несовместима

Все карты памяти microSD подойдут ко всем слотам для microSD, но не все станут работать. Обратная совместимость не предусмотрена. Более новые не будут читаться устройствами, в которых предусмотрена поддержка только более старых форматов. Нужно знать, какие карты памяти поддерживает ваш телефон.

Существуют четыре формата:

— microSD: емкость до 2 гигабайт; работает в любом слоте microSD;

— microSDHC: емкость от 2 до 32 гигабайт; работает в устройствах, поддерживающих форматы SDHC и SDXC;

— microSDXC: емкость от 32 гигабайт до 2 терабайт (теоретически); поддерживается только телефонами, совместимыми с SDXC;

— microSDUC: формат анонсирован в июне 2018 года; теоретически достижимый максимальный объем — 128 терабайт; знание о нем вам станет полезно в будущем, когда появятся и сами карты памяти и совместимые устройства.

Телефон с поддержкой microSDXC не станет читать все карты памяти этого формата. Пример: Samsung Galaxy S9 официально поддерживает карты памяти объемом не более 400 гигабайт. Не факт, что 512-гигабайтная память будет в нем работать.

Обращайте внимание на такую характеристику телефона, как максимальная емкость совместимых с ним карт памяти.

Если вы планируете открывать карту памяти на компьютере, необходимо, чтобы ее файловая система поддерживалась вашей ОС. microSDXC по умолчанию отформатированы в файловой системе exFAT. Windows давно поддерживает ее, а macOS — только начиная с версии 10.6.5 (Snow Leopard). Довольно древняя ОС, но, поскольку Mac исправно работают десятилетиями, этот нюанс также следует отметить.

В картах формата SDHC и SDXC может поддерживаться повышенная скорость шины (UHS). Данные будут перемещаться быстрее, но не всегда, а только если телефон поддерживает UHS. В старых слотах UHS-карты будут работать, но с пониженной скоростью — 25 мегабит в секунду.

Версии UHS (в скобках указана предельная скорость в мегабитах в секунду):

Прирост производительности выглядит круто, но вам нет никакого смысла переплачивать за UHS-карту, если смартфон ее не поддерживает.

4. Характеристики скорости

Есть несколько характеристик скорости. Производители порой используют их все. Класс:

— Class 2: не менее 2 мегабит в секунду

— Class 4: не менее 4 мегабит в секунду

— Class 6: не менее 6 мегабит в секунду

— Class 10: не менее 10 мегабит в секунду

Показатель ничего не говорит о максимальной скорости, только о минимальной. Теоретически карта памяти второго класса может работать быстрее, чем шестого. Карты Class 10 почти всегда быстрее, поскольку скорость шины — 25 мегабит в секунду, а 12,5, как у карт памяти других классов.

Класс скорости UHS (приведена минимальная скорость записи в мегабитах в секунду):

Класс производительности приложений (Application Performance Class). Показатель характеризует минимальную скорость произвольного чтения и записи. Измеряется в числе операций ввода-вывода в секунду (IOPS). Характеристика важна, если вы храните приложения на карте памяти и запускаете их оттуда:

— A1: чтение — 1500; запись — 500

— A2: чтение — 4000; запись — 2000

Класс скорости видео (минимальная скорость в мегабитах в секунду):

Чем выше разрешение видео, которое вы смотрите, тем более высокий Video Speed Class вам нужен.

Номинальная скорость

Некоторые производители указывают также и максимальную скорость выпускаемых ими карт памяти. Уже не в мегабитах, а в мегабайтах в секунду. Данные основаны на тестах и отражают наиболее благоприятный сценарий работы оборудования, а не его реальное использование.

На скорость чтения и записи влияют факторы, которые не зависят от карты памяти. В их числе — USB-кабель.

Относительная скорость

Так определяли скорость CD: 2x, 4x, 16x. Показатель отражает, во сколько раз скорость выше, чем первоначальная скорость компакт дисков (150 килобайт в секунду).

Обозначение 100x для microSD говорит о том, что в идеальных условиях скорость достигает 15 мегабайт в секунду.

Карта памяти в телефоне

Каждый смартфон обладает памятью. Она нужна для хранения всего: фото, видео, контактов, приложений и системы. Без памяти работать ничего не будет. Чем больше памяти, тем лучше для пользователя, потому что помещается больше информации.

Сейчас самыми распространенными стандартами памяти являются 16 GB, 32 GB и 64 GB внутренней памяти смартфона. Бывает память ещё на 128 GB, 256 GB и даже 512 GB. Недавно компания Самсунг выпустила смартфон с 1 TB (1024 GB). Но такие объёмы недоступны большинству покупателей из-за своей цены. Поэтому взгляд падает на альтернативные способы увеличить память в смартфоне. Один из таких методов – установить карту памяти.

Что такое карта памяти?

Карта памяти – это физический носитель информации мини-формата. Она служит для хранения, передачи и чтения любых данных в смартфоне и не только. Карту памяти часто путают с флешками, однако это разные устройства. Они отличаются в первую очередь размерами, во-вторых, карты памяти предназначены для смартфонов, а флешки – для компьютеров. При этом и флешку и карту памяти можно установить куда угодно, главное иметь специальный разъем в устройстве или переходник.

Выглядит карта памяти как СИМ-карта. Она небольшая и легко помещается внутрь смартфона, из-за чего её и используют в гаджетах для расширения хранилища. Вот так выглядит любая карта памяти (Micro-SD), отличается только производитель и объем памяти:

На обратной стороне карты находятся контакты для подключения. Внутри может храниться любая информация, которую вы запишете. При этом карта может выступать в роли основного хранилища и с неё можно запускать приложения, игры и систему. Для этого нужно подключить карту памяти и настроить её.

Виды карт памяти

По внешнему виду карты памяти бывают только одного типа. Не путайте карту памяти с адаптером. Адаптер служит для подключения карты памяти к компьютерам, в нём нет информации. Выглядит адаптер как карта памяти, но значительно больше и шире неё. В одной из частей адаптера есть разъём, куда можно вставить карту, а зачем с помощью адаптера подключить ту к компьютеру.

Карты памяти отличаются только производителем, скоростью и типом. Сейчас почти все карты для смартфонов выпускаются по типу MicroSD. Ещё существуют более продвинутые типы SDHC, SDXC и так далее. Главным признаком при выборе карты памяти является её класс. Он указан на самой карте в виде цифры от 2 до 16 (возможно выше) в круге. Чем больше – тем лучше. Цифра означает количество передаваемых мегабайт в секунду. Например, цифра 2 означает 2 МБ/сек, цифра 16 – 16 МБ/сек. Самым оптимальным вариантом считается 10, такой класс в меру быстрый и относительно недорогой.

Как работает карта памяти?

Карта памяти может работать в двух положениях: в качестве съемного носителя или внутреннего хранилища телефона/планшета. Носитель позволяет передавать файлы с одного устройства на другое. В таком режиме карт памяти работает по умолчанию.

Внутреннее хранилище означает, что карта памяти привязывается к одному смартфону и будет работать только на нём. В режиме хранилища на карту памяти можно будет записывать приложения и системные файлы. Носитель не позволяет такое делать. Если сделать карту памяти как хранилище внутреннего типа, то она привяжется к смартфону. Для подключения к другим гаджетам карту придется форматировать.

Установка карты памяти

Для установки карты памяти нужно найти разъём для неё. В современных смартфонах он находится в лотке для SIM. Достать лоток можно с помощью скрепки. Важно понимать, что карты памяти недоступны для всех смартфонов Apple. На iPhone невозможно установить карту памяти из-за ограниченной политики IOS. Поэтому информация актуально только для владельцев Android.

Учтите, что многие лотки уже не поддерживают карту памяти. Определить, можно ли установить карту, легко. Достаньте лоток и посмотрите на него, если там нет широкого помещения, значит карту памяти невозможно засунуть.

Более старые устройства со съёмной крышкой принимают карту памяти под аккумулятор. В каждом смартфоне место для карты памяти разное, нужно искать его самостоятельно. Разъём для карты обычно находится возле места для sim-карт. Внимательно смотрите на тип контактов – он должен совпадать с таким же на карте памяти.

Настройка карты памяти

Если вставить Micro SD в первый раз, то она откроется как обычных носитель. В этом режиме на карту памяти можно поместить разные файлы: фото, музыку, видео и прочее. Но делать это придется вручную. Но если вытянуть карту и вставить в другой смартфон или ПК, то информацию можно передать таким образом. Устанавливать приложения, кэш и прочее нельзя в таком режиме.

Для того, чтобы фотографии с камеры, загрузки из браузера, кэш и программы автоматически загружались (сохранялись) на карту памяти, нужно настроить её. Учтите, что в таком режиме вынимать карту памяти нельзя, иначе важные данные могут пропасть со смартфона. Для подключения этого режима все данные на карте памяти будут удалены, а она станет системной и не будет работать на других смартфонах и компьютерах.

Способ подключения отличается, в зависимости от производителя смартфона и его оболочки. Так в прошивках EMIUI, MIUI, One UI при подключении карты памяти система сама предложит перевести её в режим хранилища по умолчанию (появится уведомление). В новых версиях Андроид схема почти не отличается от более старых, поэтому инструкция из этой статьи почти идентична для других телефонов.

Для перевода карты памяти в режим внутреннего хранилища на Android 9.0 сделайте следующее:

1. Откройте Настройки;
2. Перейдите в «Хранилище»;
3. Далее выберите вашу карту памяти;
4. Далее кликните по «Внутренняя память»;
5. Подтвердите действие. Карта памяти будет полностью очищена (отформатирована), и на ней появятся системные файлы;
6. Дождитесь окончания процедуры;
7. Пользуйтесь.

Если по каким-либо причинам карту памяти нужно вынуть, то перед этим её нужно выключить как системное хранилище. Это действие полностью удалит данные с карты памяти. После проделывания операции карта памяти вернется в исходное состояние и её можно будет подключать куда угодно. Для этого нужно:

• Откройте хранилище по методу выше;
• Выберите карту памяти;
• Далее откройте меню вверху справа и выберите «Портативный носитель»;
• Подтвердите удаление некоторых приложений на карте памяти;
• Дождитесь её полного форматирования.

В любой момент карту памяти можно перевести в режим внутреннего хранилища. Делать это можно много раз без ограничений. Главное помните – от большого количество форматирований карта портится.

Как очистить карту памяти на Андроид?

Очистка, или как это ещё называют форматирование – процесс полного удаления всех данных с карты памяти. Для очистки карты памяти через смартфон откройте настройки, в пункте «Хранилище» выберите карту памяти и нажмите «Форматировать». Учтите, если карта памяти используется в качестве внутреннего хранилища, её отформатировать нельзя. Для этого переведите её в портативный носитель, и она сама отформатируется.