Ddr2 5300 какая частота

2. Обзор и тестирование модулей памяти объемом 2 х 1 Гб

Обзор модулей DDR2 выполнен в том же порядке, в каком проводилось их тестирование. Сначала проверялись модули памяти стандарта PC2-5300, а следом и три пары стандарта PC2-6400. Все модули небуферизованные, без поддержки режима коррекции ошибок (Non ECC) и имеют двустороннее расположение BGA микросхем.

Модули стандарта PC2-5300

Samsung PC2-5300 M378T2953EZ3-CE6
реклама

Первыми мы с вами рассмотрим два модуля памяти производства компании Samsung – самого крупного производителя микросхем памяти в мире. Модули поставляются в OEM упаковке, то есть лишь в одном антистатическом пакетике. Память выполнена на текстолите зелёного цвета. Число слоёв печатной платы не уточняется:

16 микросхем DDR2 памяти расположены с двух сторон PCB. На одной из сторон наклеен гарантийный стикер с информацией об объёме памяти, её организации, стандарте и основных таймингах:

Там же указано, что произведена память в Китае на 35-й неделе 2007 года. Микросхемы имеют маркировку ZCE6 K4T51083QE:

Номинальное напряжение чипов равно 1.8 В. Микросхема SPD модулей содержит информацию о трёх сочетаниях таймингов и частотах работы памяти:

Для бюджетной DDR2 памяти с номинальной частотой в 667 МГц значения основных таймингов 5-5-5-15 являются наиболее часто встречающимся сочетанием, и сегодня мы с вами ещё не раз в этом сможем убедиться.

Оверклокерский потенциал модулей Samsung PC2-5300 M378T2953EZ3-CE6 оказался довольно неплохим. На номинальном напряжении в 1.8 В с таймингами 5-5-5-15 частоту без потери в стабильности удалось повысить до 837 МГц. Ступенчатое увеличение напряжения до 2.0 В, а затем и до 2.2 В позволило ещё немного поднять эффективную частоту работы модулей, а именно: до 860 МГц и 877 МГц, соответственно. Последний результат оказался наиболее быстрым по производительности для рассматриваемых модулей Samsung:

реклама

С таймингами 4-4-4-12 память смогла стабильно функционировать лишь на частоте в 713 МГц при напряжении в 2.2 В (702 МГц при 2.0 В и 682 МГц при 1.8 В). С одной стороны, совершенно не впечатляющий по современным меркам результат, а с другой – получается, что память способна функционировать даже с более низкими чем в SPD таймингами (причем существенно) и причём на несколько повышенной относительно номинальной частоте.

При стоимости одного модуля Samsung PC2-5300 M378T2953EZ3-CE6 в 22.7 доллара США, на мой взгляд, вполне достойные результаты разгона.

PQI PC2-5300 MEADR428LA0108-07C6

Продукция компании PQI представлена сегодня только двумя модулями DDR2-667 общим объёмом в 2 Гб. Здесь используется та же организация модулей, что и у рассмотренных выше Samsung:

На стикере, являющимся гарантийным, указаны тип памяти и её стандарт, объём, а также маркировка модели:

Маркировка чипов памяти – PQC2648Y3R 0736 (Powerchip):

По всей видимости, микросхемы произведены на 36-й неделе 2007 года. Их номинальное напряжение составляет 1.8 В, что подтверждается информацией из SPD модулей:

Интересно, что в наименовании модулей присутствует строка «Power Quotient», а вовсе не сокращенно PQI, как прежде. Не стоит удивляться, так как аббревиатура PQI и расшифровывается как Power Quotient International. Содержимое же SPD модулей вполне стандартно и отдельно отметить здесь совершенно нечего.

Оверклокерский потенциал памяти оказался на среднем уровне или даже чуть ниже него. Так, с таймингами 4-4-4-12 на стандартном напряжении в 1.8 В память смогла функционировать лишь на частоте в 636 МГц. При увеличении напряжения до 2.0 В память охотно откликнулась ростом частоты до 698 МГц, а вот дальнейшее повышение напряжения до 2.2 В позволило повысить частоту уже только до 734 МГц. С таймингами 5-5-5-15 и на номинальном напряжении PQI PC2-5300 MEADR428LA0108-07C6 стабильно работала на 764 МГц. Повышение напряжения до 2.2 В позволило достичь частоты в 826 МГц. Этот результат и оказался лучшим по производительности:

реклама

Стоимость одного гигабайтного модуля DDR2 памяти PQI PC2-5300 составляет 21 доллар США.

Kingston PC2-5300 KVR667D2N5/1G

Далее у нас на очереди пара модулей от Kingston. Даже несмотря на их бюджетный класс, память поставляется в пластиковых коробочках с прозрачной верхней крышкой, в которых кроме непосредственно модулей памяти находится гарантийный талон с краткой памяткой покупателю и обязательствами компании-производителя.

Память выполнена на текстолите светло-зелёного цвета:

На гарантийном стикере представлена информация о стране производства, маркировке модулей, номинальном напряжении и серийном номере:

Известно, что компания Kingston не производит собственных микросхем памяти, тем не менее, маркированы чипы именно как Kingston:

Выпущенные на 32-й неделе 2007 года чипы, имеют маркировку D6408TLVAGL3. Отмечу, что в SPD модулей прошита совершенно иная информация о дате производства памяти, причем отличающаяся более ранней датой:

Три профиля сочетаний таймингов и частоты работы памяти ничем не выделяются на фоне памяти других производителей, чью продукцию мы с вами сегодня изучаем. Для эффективной частоты в 667 МГц используется классическая схема 5-5-5-15.

В разгоне память одновременно и порадовала и разочаровала. Дело в том, что на номинальном напряжении в 1.8 В модули способны были стабильно функционировать на частоте в 782 МГц с таймингами 4-4-4-12 и на частоте в 837 МГц с таймингами 5-5-5-15. Казалось бы, вполне приличный результат и с учетом того, что достигнут он был на номинальном напряжении перспективы оверклокерам с такими модулями памяти открываются довольно заманчивые. Но не тут-то было, стоило только повысить напряжение до 2.0 В, как стабильная частота тут же резко снижалась до 762 МГц на таймингах 5-5-5-15 и до 714 МГц на таймингах 4-4-4-12. Да и дальнейшее повышение напряжения до 2.2 В ничуть не влияло на разгон. Таким образом, лучший по производительности результат для Kingston PC2-5300 KVR667D2N5 был достигнут именно на номинальном напряжении:

Стоимость одного гигабайтного модуля памяти Kingston PC2-5300 KVR667D2N5 составляет 23.9 доллара США.

Kingston PC2-5300 KVR667D2N5K2

И ещё одна пара модулей от Kingston, только теперь уже в двухканальном комплекте. Пластиковый бокс нынче общий на оба модуля:

Внешне память напоминает только что рассмотренную пару от Kingston, тот же бледно-зелёный текстолит PCB:

Да и вообще, казалось бы, зачем делать обзор ещё одной пары модулей от этого же производителя с такими же характеристиками и даже с такой же маркой модулей? Но не спешите с выводами, как оказалось, перед нами совершенно иная память. Отличия начинаются уже с гарантийной наклейки на чипах:

Но самое главное, что двухканальный комплект Kingston основан на других микросхемах, теперь – производства Hynix:

Компания Hynix хорошо известна оверклокерам, как производитель именно бюджетной памяти с зачастую высоким частотным потенциалом. Оверклокерских комплектов эта компания не выпускает. Маркировка чипов – HY5PS12821C FP-Y5 . Проверим, насколько удачно прижились эти микросхемы под лейблом Kingston, но уже после того, как изучим содержимое SPD модулей:

За исключением серийного номера модулей и даты выпуска, содержимое SPD двухканального комплекта идентично оному у одиночных модулей Kingston.

Проверка памяти на разгон показала, что с таймингами 4-4-4-12 пара модулей Kingston без повышения напряжения способна стабильно работать на частоте в 676 МГц, что практически равно номиналу, но с более высокими таймингами. Двухступенчатое повышение напряжения с шагом в 0.2 В до 2.2 В помогло ещё несколько повысить максимальную частоту работы памяти, при которой сохранялась стабильность до 726 МГц. С таймингами 5-5-5-15, напротив, влияние напряжения на разгон было не столь продуктивным в плане повышения частоты работы памяти. В результате удалось достичь частоты в 876 МГц при напряжении в 2.0 В. При стандартном напряжении частота составила 837 МГц, а на 2.2 В – 857 МГц. Результат тестирования в памяти в тесте Everest на максимальной частоте при разгоне оказался следующим:

Стоимость двухканального комплекта Kingston PC2-5300 KVR667D2N5K2 общим объемом 2 Гб составляет 55 долларов США.

Corsair PC2-5300 VS1GB667D2

Компания Corsair является одним из общепризнанных оверклокерских брендов. Однако, помимо высокоскоростных модулей есть в ассортименте компании и недорогая память серии «Value Select», предназначенная для широкого круга пользователей. Поставляются такие модули в прозрачной пластиковой упаковке с картонным вкладышем внутри:

Сами модули отличаются от вышерассмотренных лишь внешне более простой PCB, менее насыщенной элементами:

На гарантийном стикере указаны принадлежность памяти к бюджетному сегменту и её модель:

Тайминги и номинальное напряжение работы модулей на наклейке не приведены. Непосредственно микросхемы памяти маркированы как Corsair 64M8CFEG QIB0900719 и выпущены на 19 неделе текущего года:

Содержимое SPD практически такое же, как и у модулей, с которыми мы уже познакомились сегодня:

При разгоне Corsair PC2-5300 VS1GB667D2 ничего впечатляющего не продемонстрировала. Зависимость от повышения напряжения на модулях практически никакая. Например, с таймингами 4-4-4-12 при напряжении в 1.8 В память смогла стабильно функционировать на частоте в 636 МГц, а при его повышении до 2.0 В только на 656 МГц. Дальнейшее повышение напряжения не способствовало росту оверклокерского потенциала модулей. На таймингах 5-5-5-15 удалось достичь только 780 МГц при напряжении в 2.2 В (775 МГц для 2.0 В и 760 МГц для 1.8 В).

Результаты тестирования производительности памяти в Everest при максимальном для неё разгоне представлены ниже:

Стоимость одного модуля Corsair PC2-5300 VS1GB667D2 составляет 27.1 долларов США.

Современные типы памяти DDR, DDR2, DDR3 для настольных компьютеров

Напечатать страницу

В данной статье мы рассмотрим 3 вида современной оперативной памяти для настольных компьютеров:

  • DDR — является самым старым видом оперативной памяти, которую можно еще сегодня купить, но ее рассвет уже прошел, и это самый старый вид оперативной памяти, который мы рассмотрим. Вам придется найти далеко не новые материнские платы и процессоры которые используют этот вид оперативной памяти, хотя множество существующих систем используют DDR оперативную память. Рабочее напряжение DDR — 2.5 вольт (обычно увеличивается при разгоне процессора), и является наибольшим потребителем электроэнергии из рассматриваемых нами 3 видов памяти.
  • DDR2 — это наиболее распространенный вид памяти, который используется в современных компьютерах. Это не самый старый, но и не новейший вид оперативной памяти. DDR2 в общем работает быстрее чем DDR, и поэтому DDR2 имеет скорость передачи данных больше чем в предыдущей модели (самая медленная модель DDR2 по своей скорости равна самой быстрой модели DDR). DDR2 потребляет 1.8 вольт и, как в DDR, обычно увеличивается напряжение при разгоне процессора
  • DDR3 — быстрый и новый тип памяти. Опять же, DDR3 развивает скорость больше чем DDR2, и таким образом самая низкая скорость такая же как и самая быстрая скорость DDR2. DDR3 потребляет электроэнергию меньше других видов оперативной памяти. DDR3 потребляет 1.5 вольт, и немного больше при разгоне процессора

Таблица 1: Технические характеристики оперативной памяти по стандартам JEDEC

JEDEC — Joint Electron Device Engineering Council (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам)

Важнейшей характеристикой, от которой зависит производительность памяти, является ее пропускная способность, выражающаяся как произведение частоты системной шины на объем данных, передаваемых за один такт. Современная память имеет шину шириной 64 бита (или 8 байт), поэтому пропускная способность памяти типа DDR400, составляет 400 МГц х 8 Байт = 3200 Мбайт в секунду (или 3.2 Гбайт/с). Отсюда, следует и другое обозначение памяти такого типа — PC3200. В последнее время часто используется двухканальное подключение памяти, при котором ее пропускная способность (теоретическая) удваивается. Таким образом, в случае с двумя модулями DDR400 мы получим максимально возможную скорость обмена данных 6.4 Гбайт/с.

Но на максимальную производительность памяти также влияет такие важный параметры как «тайминги памяти».

Известно, что логическая структура банка памяти представляет собой двумерный массив — простейшую матрицу, каждая ячейка которой имеет свой адрес, номер строки и номер столбца. Чтобы считать содержимое произвольной ячейки массива, контроллер памяти должен задать номер строки RAS (Row Adress Strobe) и номер столбца CAS (Column Adress Strobe), из которых и считываются данные. Понятно, что между подачей команды и ее выполнением всегда будет какая-то задержка (латентность памяти), вот ее-то и характеризуют эти самые тайминги. Существует множество различных параметров, которые определяют тайминги, но чаще всего используются четыре из них:

  • CAS Latency (CAS) — задержка в тактах между подачей сигнала CAS и непосредственно выдачей данных из соответствующей ячейки. Одна из важнейших характеристик любого модуля памяти;
  • RAS to CAS Delay (tRCD) — количество тактов шины памяти, которые должны пройти после подачи сигнала RAS до того, как можно будет подать сигнал CAS;
  • Row Precharge (tRP) — время закрытия страницы памяти в пределах одного банка, тратящееся на его перезарядку;
  • Activate to Precharge (tRAS) — время активности строба. Минимальное количество циклов между командой активации (RAS) и командой подзарядки (Precharge), которой заканчивается работа с этой строкой, или закрытия одного и того же банка.

Если вы увидите на модулях обозначения «2-2-2-5» или «3-4-4-7», можете не сомневаться, это упомянутые выше параметры: CAS-tRCD-tRP-tRAS.

Стандартные значения CAS Latency для памяти DDR — 2 и 2.5 такта, где CAS Latency 2 означает, что данные будут получены только через два такта после получения команды Read. В некоторых системах возможны значения 3 или 1.5, а для DDR2-800, к примеру, последняя версия стандарта JEDEC определяет этот параметр в диапазоне от 4 до 6 тактов, при том, что 4 — экстремальный вариант для отборных «оверклокерских» микросхем. Задержка RAS-CAS и RAS Precharge обычно бывает 2, 3, 4 или 5 тактов, а tRAS — чуть больше, от 5 до 15 тактов. Естественно, чем ниже эти тайминги (при одной и той же тактовой частоте), тем выше производительность памяти. Например, модуль с латентностью CAS 2,5 обычно работает лучше, чем с латентностью 3,0. Более того, в целом ряде случаев быстрее оказывается память с меньшими таймингами, работающая даже на более низкой тактовой частоте.

В таблицах 2-4 предоставлены общие скорости памяти DDR, DDR2, DDR3 и спецификации:

Тип Частота шины Скорость передачи данных Тайминги Заметки
PC2100 133 266 2.5-3-3-7 Старые ПК, ноутбуки
PC2700 166 333 2.5-3-3-7 Старые ПК, ноутбуки
PC3200 200 400 2.5-3-3-8 Популярная стандарт
PC3500 217 433 2.5-3-3-7 Оверклокерные стандарты
PC3700 233 466 2.5-3-3-7
PC4000 250 500 2.5-3-3-7
PC4400 275 550 2.5-3-3-7
PC4800 300 600 2.5-4-4-10

Таблица 2: Общие скорости памяти DDR и спецификации

Тип Частота шины Скорость передачи данных Тайминги Заметки
PC2-3200 200 400 3-3-3-12 Редко встречаеться
PC2-4200 267 533 4-4-4-12 Популярная стандарт
PC2-5300 333 667 5-5-5-15 Широко используемые
PC2-6400 400 800 5-5-5-15 Последний стандарт
PC2-8000 500 1000 5-5-5-15 Оверклокерные стандарты
PC2-8500 533 1066 5-5-5-15
PC2-8888 556 1111 5-5-5-15
PC2-9136 571 1142 5-5-5-15
PC2-10000 625 1250 5-5-5-18

Таблица 3: Общие скорости памяти DDR2 и спецификации

Тип Частота шины Скорость передачи данных Тайминги Заметки
PC3-8500 533 1066 7-7-7-20 чаще называемые DDR3-1066
PC3-10666 667 1333 7-7-7-20 чаще называемые DDR3-1333
PC3-12800 800 1600 9-9-9-24 чаще называемые DDR3-1600
PC3-14400 900 1800 9-9-9-24 чаще называемые DDR3-1800
PC3-16000 1000 2000 TBD чаще называемые DDR3-2000

Таблица 4: Общие скорости памяти DDR3 и спецификации

DDR3 можно назвать новичком среди моделей памяти. Модули памяти этого вида, доступны только около года. Эффективность этой памяти продолжает расти, только недавно достигла границ JEDEC, и вышла за эти границы. Сегодня DDR3-1600 (высшая скорость JEDEC) широко доступна, и все больше производителей уже предлагают DDR3-1800). Прототипы DDR3-2000 показаны на современном рынке, и в продажу должны поступить в конце этого года — начале следующего года.

Процент поступления на рынок модулей памяти DDR3, согласно с данными производителей, все еще небольшая, в пределах 1%-2%, и это значит, что DDR3 должен пройти длинный путь прежде чем будет соответствовать продажам DDR (все еще находиться в пределах 12%-16%) и это позволит DDR3 приблизиться к продажам DDR2. (25%-35% по показателям производителей).

Тестирование модулей памяти Apacer DDR2 PC-5300

Несмотря на то, что за последнее время особых изменений на рынке оперативной памяти не произошло, глобальные события в IT индустрии заставляют нас по другому взглянуть на выбор модулей памяти. Во-первых, компания AMD осуществила переход на платформу Socket AM2. Соответствующие процессоры имеют встроенный контроллер памяти DDR2, что однозначно определяет выбор пользователя в пользу именно этого типа памяти. Поэтому все современные AMD платформы ориентируются именно на DDR2. Впрочем, необходимо отметить, что разница в производительности между системами Socket939 и Socket AM2 практически отсутствует. Но если пользователя интересует в первую очередь скорость работы, то о процессорах AMD можно забыть — на сцене появились процессоры Intel Conroe, которые во всех приложениях опережают любых конкурентов ( в том числе и предыдущее поколение процессоров Intel с архитектурой NetBurst). И думаю не нужно напоминать, что все Intel системы используют только DDR2 память.

В результате, для компьютерных энтузиастов интерес представляют только модули памяти стандарта DDR2. Выбор таких модулей осложняется тем, что несмотря на долгий срок жизни DDR2, количество оверклокерских продуктов невелико. В частности в нашем тест-лабе есть только один набор качественной памяти ( см. обзор Corsair TWIN2X1024-8000UL), которая способна работать как на высоких частотах (вплоть до 1066Мгц), так и на относительно низких (533 и 667Мгц), с минимальными таймингами. Впрочем, наши исследования по оптимизации памяти показали, что существенной разницы в скорости работы между двумя этими режимами нет. Остальные 5 или 6 комплектов памяти представляют собой обычные модули с стандартными характеристиками (DDR2 533 или DDR2 667), которые можно купить в любом магазине.

Недавно тестовый набор памяти пополнился комплектом оверклокерской памяти Apacer DDR2 PC5300.

Особенность модулей заключается в золотистых алюминиевых радиаторах, которые полностью закрывают чипы. На 512 Мб модулях есть наклейка с указанием рабочих таймингов 5-5-5-15:

Утилита CPU-Z выдает следующую информацию SPD:

При штатных настройках память без проблем прошла все тесты на частотах 533 и 667Мгц.

Не менее успешно память работала на частоте 800Мгц, но материнская плата ASUS P5W-DH установила более высокие тайминги:

И наконец с повышением напряжения Vmem до 2,2 В, память заработала на частоте 920 Мгц.

Что касается работоспособности модулей Apacer на минимальных таймингах, то тут нас ожидало небольшое разочарование: при установке 3-2-5-2 система не стартовала. Тесты на стабильность были пройдены только после установки таймингов 3-3-6-3 и частоты 533 Мгц:

Для сравнения, модули Corsair TWIN2X1024-8000UL замечательно работали на частотах 533 и 667 Мгц с минимально возможными таймингами 3-2-5-2. Впрочем, в отличии от AMD систем гнаться за низкими таймингами не стоит: даже с высокими таймингами память с большей частотой работает также быстро.

Для облегчения сравнения оверклокерских модулей, мы приведем следующую таблицу:

533 667 800 880 1066 MAX
Corsair (SPD) + + + + + 1070 Мгц
Corsair (3-2-5-2) + + 667 Мгц
Apacer (SPD) + + + + 920 Мгц
Apacer (3-3-6-3) + 560 Мгц

Самое время подвести первые итоги: модули памяти Corsair DDR2 TWIN2X1024-8000UL1 по прежнему остаются лучшими оверклокерскими модулями. Однако технические характеристики модулей Apacer не сильно хуже, и при определенной разнице в цене могут быть неплохой альтернативой.

Теперь еще раз вернемся к вопросу оптимизации настроек памяти для Intel системы. Этот вопрос уже был полностью раскрыт в предыдущих материалах, однако повод провести повторное исследование есть: появился процессор Intel на ядре Conroe.

На стенде использовалось следующее комплектующие:

Тестовое оборудование
Процессор Процессор Intel Core 2 Duo E6700 (2, 67 ГГц; ядро Conroe).
Кулер Zalman 7000Cu
Видеокарта ASUS EN6600 GT (GeForce 6600GT ; PCI Express x16)
Версия драйвера: 81.89
Звуковая карта
HDD IBM DTLA 307030 30Gb
Материнская плата Asus P5W-DH Deluxe
Корпус Inwin506 с блоком питания PowerMan 300W
OS Windows XP SP1

Нетрудно заметить, что разница в производительности минимальна, и для обычного пользователя несущественна.

На мой взгляд, способность память работать на высоких частотах более важна поддержки низких таймингов. И вот почему — самый доступный процессор Conroe (E6300) работает на частоте 1,86 ГГц. Иными словами его множитель = 7. А технологический предел ядра Conroe при воздушном охлаждении находится в районе 3,5 ГГц. Это означает необходимость работы разогнанной системы на частоте FSB =

500 МГц. Соответственно, даже при наличии понижающих множителей частоты памяти, последняя обязана работать на частоте

При установке максимально возможной частоты FSB на плате ASUS P5W-DH = 450 МГц, минимально возможная частота памяти > 667 МГц.

Итак, основной совет при выборе оверклокерской памяти (даже не уточняю, что это DDR2, и что она предназначена для Conroe 🙂 заключается в ее способности работать на высоких частотах (

800 МГц). И по этому критерию, модули Apacer PC5300 нас полностью устраивают. Единственное, что необходимо учитывать, это то, что различные материнские платы имеют разную степень совместимости с модулями памяти. Причем новые версии BIOS могут как улучшить, так и ухудшить степень совместимости. Поэтому, один из главных советов при покупке дорогой памяти — это пожелание наличия услуг «апгрейд» и «манибек» в магазине.

Оперативная память: виды, увеличение, диагностика

Оперативная память – это оперативное запоминающее устройство (ОЗУ), в которой в процессе работы компьютерной техники хранятся выполняемые входные, выходные и промежуточные данные, обрабатываемые центральным процессором.

В процессе запуска операционной системы оперативка содержит данные программ и ОС. Объем оперативной памяти на прямую оказывает влияние на решение одновременно запущенных задач. То есть, чем больше объем ОЗУ, тем больше задач в состоянии обработать компьютер. Также очень часто используется видеокартой как видеопамять.

Виды оперативной памяти

На сегодняшний день выпущено четыре вида оперативной памяти: DDR, DDR2, DDR3, DDR4. Они также делятся на 2 форм фактора: DIMM – для компьютеров, SO-DIMM – для ноутбуков. Эти два типа абсолютно разные, их невозможно спутать, для компьютеров они вытянутые, для ноутбуков – короткие. Рассмотрим каждое поколение ОЗУ в отдельности.

DDR – первый тип памяти, ему более 20 лет. Использует напряжение 2.6В. Спецификации DDR SDRAM:

Название модуля Тип чипа Частота шины памяти, МГц
PC1600 DDR200 100
PC2100 DDR266 133
PC2400 DDR300 150
PC2700 DDR333 166
PC3200 DDR400 200
PC3500 DDR433 217
PC3700 DDR466 233
PC4000 DDR500 250
PC4200 DDR533 267
PC5600 DDR700 350

DDR2 – второе поколение оперативной памяти, впервые появилась в 2003 году. Использует напряжение 1.8В. Спецификации DDR2:

Название модуля Тип Частота шины памяти, МГц
PC2‑3200 DDR2‑400 200
PC2‑4200 DDR2‑533 266
PC2‑5300 DDR2‑667 333
PC2‑5400 DDR2‑675 337
PC2‑5600 DDR2‑700 350
PC2‑5700 DDR2‑711 355
PC2‑6000 DDR2‑750 375
PC2‑6400 DDR2‑800 400
PC2‑7100 DDR2‑888 444
PC2‑7200 DDR2‑900 450
PC2‑8000 DDR2‑1000 500
PC2‑8500 DDR2‑1066 533
PC2‑9200 DDR2‑1150 575
PC2‑9600 DDR2‑1200 600

DDR3 – это третье поколение, и оно делится на три типа с различным напряжением: DDR3 – 1.5В, DDR3L – 1.35В, DDR3U – 1.25В. Выпуск всех модификаций с 2007 по 2010 год. Спецификации DDR3:

Название модуля Тип Частота шины памяти, МГц
PC3‑6400 DDR3‑800 400
PC3‑8500 DDR3‑1066 533
PC3‑10600 DDR3‑1333 667
PC3‑12800 DDR3‑1600 800
PC3‑14900 DDR3‑1866 933
PC3‑17000 DDR3‑2133 1066
PC3‑19200 DDR3‑2400 1200

DDR4 – это последнее поколение на сегодняшний день, в массовое производство поступила в 2014 году. Потребляемое напряжение 1.2В. Имеет большее количество различных таймингов. Спецификации DDR4:

Название модуля Тип Частота шины памяти, МГц
PC4-12800 DDR4-1600 800
PC4-14900 DDR4-1866 933.33
PC4-17000 DDR4-2133 1066.67
PC4-19200 DDR4-2400 1200
PC4-21333 DDR4-2666 1333
PC4-23466 DDR4-2933 1466.5
PC4-25600 DDR4-3200 1600

Как вы наверное заметили, каждое последующее поколение меньше потребляет энергии, но выдает более высокую производительность. Что придает эффективность в работе и минимальные энергозатраты.

Как увеличить оперативную память

Тут, в принципе, нет ничего сложного. Чтобы увеличить оперативную память, предварительно отключаем блок питания компьютера с помощью кнопки или вытаскиваем кабель питания из сети; у ноутбука вытаскиваем зарядное устройство, снимаем аккумуляторную батарею. Открываем корпус компьютера или ноутбука, на материнской плате возле модулей оперативной памяти указан форм фактор ОЗУ, по нему вы сможете понять какой тип памяти поддерживает ваше устройство. Но я рекомендую снять модуль, установленный в вашем ПК и посмотреть поколение, тип, название и подобрать схожий с вашими характеристиками.

Что касается увеличения оперативки DDR3. Все материнские платы, поддерживающие DDR3, также поддерживают DDR3L, но не наоборот. То есть, материнки, выпущенные под DDR3L, не поддерживают оперативную память DDR3.

Диагностика ОЗУ

При повреждении модуля памяти, операционная система Windows начинает работать со сбоями и выдавать различные ошибки. В таких случаях приходится диагностировать все узлы компьютера. В рамках данной статьи я расскажу, как провести диагностику оперативной памяти.

Диагностика с помощью MemTest86+

Самой распространенной программой для диагностики оперативного запоминающего устройства среди мастеров является MemTest86+. Скачиваете образ программы MemTest86+, создаете загрузочный диск или флешку . Выставляете в биосе данный загрузчик на первое место или с помощью Boot Menu выбираете ваш носитель.

Загрузится MemTest86+ и автоматически начнется диагностика всех модулей оперативной памяти. Всего 10 тестов, каждая начинается с начала. Если выскочит хоть одна ошибка, то выключайте устройство, вытаскивайте все модули оставив лишь одну планку. Теперь диагностируйте каждую по отдельности чтобы выявить неисправную. О том, как выглядит неисправность в программе Мемтест смотрите картинку ниже. Ошибка может также показать себя как отображение различных казусов на экране.

По окончании теста, для выхода нажмите ESC.

Надеюсь данная статья многим читателям внесла ясность по вопросам оперативной памяти. В форме ниже подписывайтесь на новые статьи, делитесь с друзьями. Спасибо за внимание, до следующей встречи!

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *